TRANSISTOR MOS P-CHANNEL THT
2SJ 162 P-MOS 160V 7A 100W TO3P
2SJ 162 P-MOS 160V 7A 100W TO3P
CODICE: 2SJ162
Scheda Tecnica
Articolo: 2SJ162
Descrizione: P-CHANNEL MOSFET FIELD EFFECT TRANSISTOR
G.S. Integrated two zener diode
D.S. Integrated diode
Polarità: P-CHANNEL
Tensione Drain-Source: 160V
Corrente: 7A
Dissipazione: 100W
Contenitore: TO247 TO-247
Pinning: 1: Gate 2: Source 3: Drain
Complementare Tipo: K1058
Marking: J162
Produttore: RENESAS / HITACHI
Applicazioni / Application: Low frequency power amplifier
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
Articolo: 2SJ162
Descrizione: P-CHANNEL MOSFET FIELD EFFECT TRANSISTOR
G.S. Integrated two zener diode
D.S. Integrated diode
Polarità: P-CHANNEL
Tensione Drain-Source: 160V
Corrente: 7A
Dissipazione: 100W
Contenitore: TO247 TO-247
Pinning: 1: Gate 2: Source 3: Drain
Complementare Tipo: K1058
Marking: J162
Produttore: RENESAS / HITACHI
Applicazioni / Application: Low frequency power amplifier
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Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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COPPIA 2SK1058 2SJ162 N/P MOSFET 160V 7A 100W TO-3P K1058 J162
Prezzi Iva Inclusa1 PZ€ 24,55863 PZ€ 22,1027
indirizzo del produttore
IN PREPARAZIONE
IN PREPARAZIONE
indirizzo Responsabile EU
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
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Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
identificazione dei rischi
- Tenere fuori dalla portata dei bambini