TRANSISTOR IGBT N-CHANNEL THT
G4BC30UD N-CHANNEL MOSFET IGBT 600V 12A 100W TO220 TRANSISTOR IRG4BC30UD
G4BC30UD N-CHANNEL MOSFET IGBT 600V 12A 100W TO220 TRANSISTOR IRG4BC30UD
CODICE: IRG4BC30UD
Prezzi Iva Inclusa
1 PZ
€ 2,1960
Scheda Tecnica
Articolo: IRG4BC30UD
Descrizione: N-Channel IGBT Isulated gate bipolar transistor integrated fast recovery diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 600v
Corrente: 12A
Dissipazione: 100W
Contenitore: TO 220AB TO-220AB
Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter
Articolo in sostituzione: IRG6B60KD - GP8NC60KD - IRGP8NC60KD - IKP15N60T
Marking: G4BC30UD
Produttore:
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These Scheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: IRG4BC30UD
Descrizione: N-Channel IGBT Isulated gate bipolar transistor integrated fast recovery diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 600v
Corrente: 12A
Dissipazione: 100W
Contenitore: TO 220AB TO-220AB
Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter
Articolo in sostituzione: IRG6B60KD - GP8NC60KD - IRGP8NC60KD - IKP15N60T
Marking: G4BC30UD
Produttore:
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RoHS:
indirizzo del produttore
IN PREPARAZIONE
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indirizzo Responsabile EU
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
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Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
identificazione dei rischi
- Tenere fuori dalla portata dei bambini