TRANSISTOR IGBT N-CHANNEL SMD
RJP30H1 RJP 30H1 N-CHANNEL IGBT 360V 30A 40W TO-252 DPAK SMD
RJP30H1 RJP 30H1 N-CHANNEL IGBT 360V 30A 40W TO-252 DPAK SMD
CODICE: RJP30H1
Prezzi Iva Inclusa
1 PZ
€ 2,2638
3 PZ
€ 1,5764
Scheda Tecnica
Articolo: RJP30H1DPD
Descrizione: Silicon N-Channel IGBT
High speed power switching
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 360V
Corrente: 30A
Dissipazione: 40W
Contenitore: TO252 SMD (DPAK)
Marking: RJP30H1
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These Scheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: RJP30H1DPD
Descrizione: Silicon N-Channel IGBT
High speed power switching
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 360V
Corrente: 30A
Dissipazione: 40W
Contenitore: TO252 SMD (DPAK)
Marking: RJP30H1
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These Scheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
indirizzo del produttore
IN PREPARAZIONE
IN PREPARAZIONE
indirizzo Responsabile EU
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
identificazione dei rischi
- Tenere fuori dalla portata dei bambini