TRANSISTOR IGBT N-CHANNEL SMD

RJP30H1 RJP 30H1 N-CHANNEL IGBT 360V 30A 40W TO-252 DPAK SMD

RJP30H1 RJP 30H1 N-CHANNEL IGBT 360V 30A 40W TO-252 DPAK SMD

CODICE: RJP30H1

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Prezzi Iva Esclusa
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€ 1,8556
3 PZ
€ 1,2921
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Scheda Tecnica

Articolo: RJP30H1DPD

Descrizione: Silicon N-Channel IGBT
High speed power switching

Polarità: N-CHANNEL (N-FET)

Tensione Drain-Source: 360V

Corrente: 30A

Dissipazione: 40W

Contenitore: TO252 SMD (DPAK)

Marking: RJP30H1

Produttore:

Applicazioni / Application:Fast switching.

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.

Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.

These Scheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.

RoHS: