TRANSISTOR IGBT N-CHANNEL SMD

RJP 30H2A N-IGBT 360V 35A 60W TO-263

RJP 30H2A N-IGBT 360V 35A 60W TO-263

CODICE: RJP30H2A

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1 PZ
€ 2,1580
3 PZ
€ 1,7017
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Scheda Tecnica

Articolo: RJP30H2A

Descrizione: Silicon N-Channel IGBT
High speed power switching
B1JBEN004

Polarità: N-CHANNEL (N-FET)

Tensione Drain-Source: 360V

Corrente: 35A

Dissipazione: 60W

RDS:

Contenitore:

Marking: RJP30H2A

Produttore:

Applicazioni / Application:Fast switching.

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.

RoHS: